La storia di Intel è stata caratterizzata da grandi personalità come Andy Grove, che nel 1997 ha ricevuto dalla rivista Time l’onore della copertina dedicata.

Un’altra tappa fondamentale è stato lo sviluppo del processo di produzione a 45 nanometri.

Il cinquantesimo anniversario di Intel: Andy Grove, uomo dell’anno di Time (1997)

Nel 1997 la rivista Time ha nominato il CEO di Intel Andy Grove “Uomo dell’anno”. Questo titolo veniva spesso assegnato come un onore, ma non necessariamente: denotava la persona, il gruppo, l’idea o l’oggetto che aveva esercitato la maggiore influenza in quell’anno, indipendentemente dal fatto che quell’influenza fosse stata positiva, negativa o controversa. Il trattamento di Grove da parte della rivista, tuttavia, era particolarmente elogiativo. Non solo ha presentato Andy Grove e Intel, ma ha anche trasmesso il messaggio che la portata del loro impatto si sarebbe estesa ben oltre il 1997. Grove non solo è stato presentato come la persona dell’anno, ma come l’uomo dell’era dell’informazione.

Quel numero di Time iniziava con una valutazione della rivoluzione apportata dai semiconduttori scritta da Walter Isaacson, allora caporedattore, che avrebbe poi continuato la sua carriera scrivendo biografie di successo di personaggi come Leonardo da Vinci, Benjamin Franklin, Albert Einstein e Steve Jobs. Isaacson ha riconosciuto le innovazioni rivoluzionarie che hanno preceduto la carriera tecnologica di Grove, in particolare il transistor e il circuito integrato, e ha presentato Grove come una figura singolare sia per Intel che per la rivoluzione tecnologica.

Isaacson attribuiva a Grove la tendenza a “spingere con ossessione paranoica i limiti dell’innovazione”, trasformando Intel nella potenza tecnologica che era diventata, rendendo i microchip una parte essenziale della vita quotidiana e ridefinendo l’economia moderna.

Time conteneva anche un articolo più strettamente biografico su Grove, “A Survivor’s Tale” (La storia di un sopravvissuto) di Joshua Cooper Ramo. L’articolo enfatizzava le notevoli sfide che Grove aveva superato nella vita: l’infanzia, in quanto ragazzo ebreo in Ungheria che viveva sotto pseudonimo per evitare di essere scoperto dai nazisti occupanti; l’adolescenza, quando viveva dietro la Cortina di ferro prima di passare in Austria e immigrare negli Stati Uniti a 20 anni come rifugiato; i successi scolastici nei corsi avanzati di scienze nonostante il suo problema di udito, che lo costringeva a leggere il labiale dei professori in inglese, che non era la sua lingua madre (una serie di operazioni successive avrebbe ripristinato l’udito che aveva perso a causa della scarlattina avuta durante l’infanzia); l’ascesa in Intel e il suo stile semplice ma rigoroso che ha instillato nel management dell’azienda; la sopravvivenza al cancro alla prostata attraverso un regime di trattamento da lui ideato. In tutto questo, l’articolo trasmetteva l’idea che queste esperienze non fossero state cruciali solo nel forgiare il carattere di Grove, ma anche quello di Intel, in particolare la capacità dell’azienda di prosperare in un settore spietato.

Il numero di Time è arrivato in edicola il 21 dicembre 1997. Era la prima volta che la rivista sceglieva una singola persona direttamente connessa all’era digitale (in precedenza aveva nominato il personal computer “macchina dell’anno” nel 1982), ma non sarebbe stata l’ultima.

La rivista avrebbe poi dato lo stesso riconoscimento a un magnate dell’e-commerce (Jeff Bezos), a un pioniere dei social media (Mark Zuckerberg) e persino a “Tu” (cioè i milioni di persone che creano contenuti generati dagli utenti attraverso i loro dispositivi elettronici personali). Ma il riconoscimento da parte della rivista dell’impatto di un pioniere della tecnologia è iniziato con Grove, l’uomo che Isaacson ha definito “la persona maggiormente responsabile della straordinaria crescita della potenza e del potenziale innovativo dei microchip”.

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Il cinquantesimo anniversario di Intel: il processo di produzione a 45 nanometri

Nel 2005 la legge di Moore si stava avvicinando a una barriera. Per continuare a raddoppiare il numero di transistor per chip, secondo il principio di Gordon Moore, i transistor della nuova generazione di microchip avrebbero dovuto ridursi a soli 45 nanometri (o 45 miliardesimi di metro), circa il 30% più piccoli dei chip a 65 nm che erano allora all’avanguardia. Ma dei transistor così piccoli e densi avrebbero superato le limitazioni fisiche intrinseche dei dielettrici di biossido di silicio, che erano stati il materiale standard dell’intero settore dalla fine degli anni ’60.

Intel ha risposto a questa sfida dedicando due anni allo sviluppo di materiali alternativi, un impegno che Moore, uno dei fondatori di Intel, ha definito “la svolta più significativa nella tecnologia dei transistor dall’introduzione dei transistor MOS con gate in polisilicio alla fine degli anni ’60”. Usando l’elemento chimico afnio, Intel ha creato un nuovo tipo di dielettrico che ha chiamato “high-k”, che ha poi abbinato a una nuova lega per il gate del transistor. Il New York Times ha così riassunto l’importanza dei nuovi materiali: “Intel… ha ridefinito l’elemento di base dell’era dell’informazione”.

L’azienda ha annunciato questa svolta rivoluzionaria nel gennaio del 2007 (i chip commerciali che utilizzano la tecnologia sono diventati disponibili nel novembre successivo). Sviluppati presso la Fab D1D in Oregon, i primi prodotti prototipo a 45 nm che impiegavano la nuova tecnologia hanno raddoppiato i transistor della precedente generazione con una dissipazione energetica limitata e prestazioni dei transistor migliori del 20%. Inoltre, le nuove leghe erano al 100% prive di piombo e nel 2008 sarebbero diventate anche prive di alogeni.

L’impegno dell’azienda a implementare un’infrastruttura di produzione per sfruttare il nuovo processo era importante quanto la stessa innovazione tecnica. Intel ha svelato i piani per un impianto di produzione a 45 nm a volumi elevati del valore di 3,5 miliardi di dollari – la Fab 32 a Chandler, in Arizona – diversi mesi prima della consegna dei processori a 65 nm e 18 mesi prima di annunciare il suo primo prototipo di successo a 45 nm nel luglio 2005. Una struttura complementare da 3,5 miliardi di dollari a Kiryat Gat, in Israele, è stata annunciata nel dicembre 2005. La Fab 11X a Rio Rancho, nel New Mexico, sarebbe stata riattrezzata per la produzione a 45 nm dopo una ristrutturazione da 1,5 miliardi di dollari annunciato a marzo 2007, dopo che la tecnologia era stata comprovata.

Questi investimenti erano indicativi della fiducia dell’azienda sul fatto che avrebbe raggiunto le innovazioni tecniche necessarie per utilizzare i nuovi impianti, e tale fiducia è stata ripagata. Intel non si è limitata a trarre vantaggio dal suo processo di produzione a 45 nm, ma ha continuato a raddoppiare la densità dei transistor dei suoi microchip nelle generazioni successive.

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